1.1 设备用途
本设备主要精准腐蚀晶圆边缘氧化层，有效控制边缘宽度，腐蚀时保护其他区域不被腐蚀。实现边缘局部腐蚀，拥有气液混和工艺方案。每片晶圆仅消耗 1 毫升的氢氟酸溶液和少量氮气。
1.2. 工作原理
基于创新的动态薄层晶圆表面化学处理技术。其工作原理是把半导体晶圆放置在一个封闭的超微型化学反应腔室内，通过对腔室结构的设计和精密加工，使进入腔室内的化学气体和液体在晶圆边缘形成一层化学流体薄层，与晶圆边缘发生化学和物理反应，达到对晶圆边缘氧化硅的腐蚀效果。
1.3 设备特点
①用于大硅片材料（6、8、12寸）的晶圆边缘腐蚀
②工艺简单，无需贴膜，干进干出，腐蚀干燥一体完成
③多腔体设计，提高生产通量
④可精确选择腐蚀区域，精度±0.15mm
⑤气液混合工艺方案，超低HF消耗（干法腐蚀：HF用量1ml/片，无需超纯水；湿法腐蚀：HF用量小于30ml/片，超纯水小于210ml/片）
⑥功能拓展性强，可集成下一步工艺
⑦超低排放，绿色环保
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